تستعد شركة CXMT الصينية لبدء الإنتاج الكمي لأول ذواكرها من نوع HBM3E خلال الشهرين المقبلين، وفقاً لتقرير حصري نشرته وكالة Reuters نقلاً عن مصادر مطلعة على خطط الشركة. وإذا سارت الخطط وفق التوقعات، فستبدأ الشركة الإنتاج الكمي قبل نهاية عام 2026، في خطوة تمثل تقدماً مهماً في مساعي الصين لتطوير ذواكر النطاق الترددي العالي اللازمة لتشغيل مسرّعات الذكاء الاصطناعي. وكانت CXMT قد بدأت الإنتاج التجريبي الأولي، المعروف باسم Risk Production، لذاكرة HBM3E خلال أغسطس الماضي. لكن الشركة لا تزال تواجه تحديات في تحقيق معدلات إنتاج مقبولة، إذ تشير التقارير إلى أن ضعف المردود التصنيعي يمثل إحدى أبرز العقبات أمام توسيع الإنتاج التجاري. وتكتسب هذه الخطوة أهمية خاصة في ظل تزايد الطلب على ذاكرة HBM، التي أصبحت مكوناً أساسياً في مسرّعات الذكاء الاصطناعي ومراكز البيانات، بالتزامن مع سعي شركات تصنيع الرقائق الصينية إلى تأمين احتياجاتها من المكونات المتقدمة محلياً. HBM3E: ذاكرة أساسية لمسرّعات الذكاء الاصطناعي تُستخدم ذاكرة النطاق الترددي العالي HBM (High Bandwidth Memory) لتوفير معدل نقل بيانات مرتفع بين الذاكرة ووحدات المعالجة، وهو أمر بالغ الأهمية عند تدريب نماذج الذكاء الاصطناعي وتشغيلها، حيث تتعامل المسرّعات مع كميات ضخمة من البيانات بصورة متزامنة. وبحسب المواصفات القياسية التي تشير إليها JEDEC لذاكرة HBM3E، تعتمد هذه التقنية على واجهة بعرض 1024 بت، مع سرعات نقل تتراوح بين 9.2 و12.4 جيجابت في الثانية لكل طرف اتصال، بينما تستهدف العديد من التكوينات القياسية سرعة تبلغ 9.6 جيجابت في الثانية لكل طرف. وتوفر هذه المواصفات نطاقاً ترددياً يصل إلى نحو 1.2 تيرابايت في الثانية لكل مكدس ذاكرة عند سرعة 9.6 جيجابت في الثانية لكل طرف، ما يجعلها مناسبة لأعباء العمل التي تتطلب تغذية مستمرة لوحدات المعالجة بالبيانات. أما السعة، فتتراوح وفق التكوينات المذكورة بين 24 جيجابايت في المكدسات ذات الثماني طبقات، و36 جيجابايت في المكدسات ذات 12 طبقة، باستخدام شرائح ذاكرة بسعة 24 جيجابت لكل طبقة. ومع ذلك، لا تزال التفاصيل الدقيقة لأداء ذاكرة HBM3E التي تطورها CXMT غير معلنة، ولا تتوفر حتى الآن بيانات رسمية كاملة تسمح بمقارنتها مباشرة بجميع المنتجات المنافسة. تقنية TSV تمثل التحدي الأكبر أمام CXMT تكمن إحدى أبرز العقبات التي تواجه CXMT في تقنية Through-Silicon Via (TSV)، وهي تقنية تستخدم وصلات عمودية دقيقة تمر عبر السيليكون لربط طبقات الذاكرة داخل المكدس الواحد. وتُعد هذه الوصلات عنصراً أساسياً في تصميم ذاكرة HBM، لأنها تتيح نقل البيانات بين الطبقات ضمن مساحة محدودة وبكفاءة عالية. ووفقاً للتقارير، لا تزال تقنية TSV لدى CXMT أقل نضجاً من الحلول المستخدمة لدى الشركات الرائدة في هذا المجال، ما ينعكس على المردود التصنيعي وصعوبة الوصول إلى إنتاج مستقر بكميات كبيرة. وتشير البيانات الواردة في التقرير إلى أن مردود التصنيع في المراحل الأمامية يبلغ نحو 30%، فيما تضيف مراحل المعالجة الخلفية مردوداً يعادل قرابة 70% من الناتج الأصلي، ما يؤدي إلى انخفاض كبير في عدد الوحدات النهائية الصالحة للاستخدام. وللمقارنة، تستخدم Samsung نحو 5000 وصلة TSV لكل طبقة في ذاكرة HBM2، بينما تستخدم SK hynix أكثر من 8000 وصلة لكل طبقة في ذاكرة HBM3، وفقاً للأرقام الواردة في التقرير. وفي المقابل، تشير البيانات المتداولة إلى أن CXMT تحاول تطوير HBM3E باستخدام نحو 3000 وصلة TSV لكل طبقة، مع تجميع ثماني طبقات للوصول إلى التكوين المعروف باسم 8-Hi. وتثير هذه الفوارق تساؤلات حول قدرة الشركة على الوصول إلى مستويات الأداء والموثوقية المطلوبة، خصوصاً مع زيادة تعقيد المكدسات وارتفاع متطلبات الاتصال بين طبقات الذاكرة. وبالنظر إلى هذه التحديات، لا يُتوقع أن تنتقل CXMT سريعاً إلى إنتاج مكدسات HBM3E ذات 12 طبقة، إذ تحتاج الشركة أولاً إلى معالجة المشكلات الهندسية وتحسين عمليات التصنيع ورفع المردود الإنتاجي. مردود لا يتجاوز 20% ونسختان قيد التقييم بحسب مصادر مطلعة نقلت عنها Reuters، فإن أداء ذاكرة HBM3E التي تطورها CXMT أقرب إلى مستوى ذاكرة HBM3 السابقة من SK hynix، وليس إلى مستوى HBM3E التي تنتجها الشركة الكورية. كما تشير التقارير إلى أن CXMT بدأت إرسال نسختين من ذاكرتها إلى العملاء. تعتمد النسخة الأولى على التصميم القياسي، بينما تتضمن النسخة الثانية تعديلات تستهدف تحسين المردود التصنيعي ومعالجة بعض التحديات الإنتاجية. ورغم هذه التعديلات، يُقال إن معدل المردود لا يزال عند نحو 20%، وهو مستوى منخفض للغاية مقارنة بما تحتاج إليه عمليات الإنتاج التجاري الواسع. ويعني ذلك أن نسبة محدودة فقط من الوحدات المصنعة قد تجتاز مراحل التصنيع والاختبار وتصبح صالحة للاستخدام النهائي. لكن هذا المستوى قد يكون مقبولاً مؤقتاً في مرحلة تطوير التقنية، طالما تواصل الشركة تحسين خطوط الإنتاج وتطوير عمليات التصنيع. فالوصول إلى منتج قابل للإنتاج الكمي لا يتطلب إثبات إمكانية تصنيع الذاكرة فحسب، بل يتطلب أيضاً تحقيق مردود مستقر يسمح بتوفير كميات كافية بتكلفة قابلة للاستدامة. وتواجه الشركات الصينية العاملة في تطوير مسرّعات الذكاء الاصطناعي حاجة متزايدة إلى ذاكرة HBM، ما يخلق حافزاً قوياً لتطوير بدائل محلية حتى مع استمرار التحديات التقنية. هل تنجح الصين في تقليص اعتمادها على موردي HBM العالميين؟ يمثل تطوير CXMT لذاكرة HBM3E جزءاً من مساعي الصين لبناء سلسلة توريد محلية أكثر قدرة على دعم معالجات الذكاء الاصطناعي. فإنتاج المسرّعات المتقدمة لا يعتمد على وحدات المعالجة وحدها، بل يتطلب أيضاً ذاكرة عالية النطاق الترددي وتقنيات تغليف متقدمة وعمليات اختبار دقيقة. وإذا تمكنت CXMT من تحسين مردود التصنيع وتوسيع الإنتاج الكمي، فقد توفر مستقبلاً مصدراً إضافياً للذاكرة لصالح الشركات الصينية المطورة للرقائق ومسرّعات الذكاء الاصطناعي. لكن انخفاض المردود الحالي والفجوة المحتملة في الأداء مقارنة بالمنتجات الرائدة يوضحان أن الوصول إلى منافسة مباشرة على نطاق واسع لا يزال يتطلب عملاً هندسياً وصناعياً كبيراً. وبالتالي، فإن بدء الإنتاج الكمي قبل نهاية عام 2026، إذا تحقق، سيكون خطوة أولى مهمة، لكنه لن يعني بالضرورة أن CXMT أصبحت قادرة على توفير ذاكرة HBM3E بمستويات الإنتاج والأداء والتكلفة التي تقدمها الشركات الرائدة في السوق.
